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Categorie :
Equipements pour caractérisation C-V par CONTACT MERCURE
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 | Appareil C(V) à contact mercure pour caractérisation de wafers & Substrats jusqu'à 200mm » Chargement manuel de l'échantillon (robot optionnel), positionnement et mesure automatique, cartographie et graphes 3D » Fonctions logicielles modulables selon l'évolution des applications » Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes. |
| |  | Appareil C(V) à contact mercure pour wafers & Substrats comprenant aussi les substrats isolants » Pour wafer de 1" à 8" (200mm) » Inclut un contact à trois points permettant de tester les SOI par l'analyse de la formation de "Pseudo-MOS" » Chargement manuel de l'échantillon & Positionnement et mesures automatiques, cartographie » Fonctions logicielles modulables selon l'évolution des applications » Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes. |
| |  | Appareil C(V) manuel à contact mercure pour caractérisation de wafers & Substrats jusqu'à 200mm » Chargement manuel de l'échantillon, Mesure automatique » Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes |
| |  | Appareil C(V) à contact mercure pour caractérisation de wafers & Substrats jusqu'à 300mm » Chargement manuel de l'échantillon (robot optionnel), positionnement et mesure automatique, cartographie et graphes 3D » Fonctions logicielles modulables selon l'évolution des applications » Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes. |
| |  | Appareil C(V) à contact mercure pour wafers & Substrats jusqu'à 300mm comprenant aussi les substrats isolants » Inclut un contact à trois points permettant de tester les SOI par l'analyse de la formation de "Pseudo-MOS" » Chargement manuel de l'échantillon & Positionnement et mesures automatiques, cartographie » Fonctions logicielles modulables selon l'évolution des applications » Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes. |
| |  | Appareil de mesure de résistivité par contact mercure ET appareil C(V) pour caractérisation de wafers & Substrats jusqu'à 300mm » Permet la mesure des résistivités de surface et le mapping des USJ » Chargement manuel de l'échantillon (robot optionnel), positionnement et mesure automatique, cartographie et graphes 3D » Win 2000 ou XP permet le multitâches et les liaisons DDE » Fonctions logicielles modulables selon l'évolution des applications » Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes » Voir aussi CVRmap 3093B et MPP43093 |
| |  | Appareil de mesure de résistivité ET appareil C(V) à contact mercure pour wafers & Substrats jusqu'à 300mm comprenant aussi les substrats quasi isolants » Inclut un contact à trois points permettant de tester les SOI par l'analyse de la formation de "Pseudo MOS" » Chargement manuel de l'échantillon (robot optionnel), positionnement et mesure automatique, cartographie. Fonctions logicielles modulables selon l'évolution des applications » Le CVRmap permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes » Le logiciel inclut en standard la mesure et cartographie de résistivité de couche et les caractérisations sur oxydes » Voir aussi CVRmap 3093A et MPP43093 |
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