|
|
|
|
|
HMS3000 : Appareils de mesure effet HALL et autres paramètres
|
|
|
1 - CARACTERISATION ELECTRIQUE DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES > C - CARACTERISATION PAR EFFET HALL > Equipements pour mesures d'effet Hall et autres paramètres
|
|
Appareil à source de courant constant et aimants permanents de rapport qualité/prix particulièrement intéressant pour la mesure de : Loi de Van der Pauw, Résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
» Permet de caractériser les couches semi-conductrices, compounds, cellules solaires...
» Le modèle 3000 intègre le tracé de courbes I-V et peut mesurer à température ambiante ou à la température de 77K (azote liquide)
» Système de fixation de l'échantillon par clip rapide et pratique
» Différents aimants (permanents) sont disponibles
++ Voir autres modèles
++ Theory & Complements see www.hall-effect.eu
|
|
|
|
|
|
Effectuez une demande d'informations en cliquant sur
|
|
|
Visualisez les références du produit en cliquant sur l'onglet références
|
|
|
|
| | Informations techniques | | Aimant | 0,37T, 0,55T, 1T |
| Gamme de température (°C) | Ambiante ou LN2 (sauf 1T) |
| Type de wafers & Substrats acceptés | 6x6mm min, 20x20mm max |
| Transfert de données | Excel, txt |
| | Applications typiques | | Mesurer | Résistivité de 10E-4 à 10E7 ohm.cm |
| Mesurer | Concentration des porteurs (cm-3) |
| Mesurer | Mobilité des porteurs (Cm²/Volt-Sec) |
| Caractériser | Couches et substrats semi-conducteurs, Compounds... |
| Matériaux semi-conducteurs mesurés | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO etc., pratiquement tous les semi-conducteurs (type n/p) |
|
|
|
Pas d'informations détaillées
|
|
|
|
|
| HMS3000 |
 |
|
|
|
|
|
|
|